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單管芯片集成首次實現光纖輸出功率超過4000瓦半導體激光器
2016-8-8
來源:未知
點擊數: 4481          作者:未知
  • OFweek網訊:蘇企自主研發高功率半導體芯片,在國際上首次利用單管芯片集成實現光纖輸出功率超過4000瓦

      6月17日,2016年首批4個姑蘇領軍人才計劃重大創新團隊候選項目公示結束。來自蘇州高新區長光華芯光電技術有限公司申報的“高功率半導體及應用模塊、系統的研發及產業化”項目榜上有名,其在“一粒米”大小的芯片上能發出超過10瓦的光的芯片研發,走到了世界的前列。

      在長光華芯公司大廳里,筆者看到了擁有中國完全自主知識產權、達到國際先進水平的“單管芯片”和“集成巴條”。“單管芯片”體積約一粒米大小,但要比米更細、更薄。“‘單管芯片’已經很小了,但它的發光部分只占了‘單管芯片’的五分之一。也就是說,這光就是從一條微縫隙中發出的,可超過10瓦。”公司技術負責人向記者筆者介紹,“你設想一下,在這么細微的芯片上,要承載高功率、高亮度,還要經受住大電流而不被擊穿,實現電、熱、光之間的轉換,有多難?”

    芯片全工藝流程都是自主研發,擁有完全自主知識產權。

      事實上,目前我國高功率半導體芯片大多要依賴進口,而很多國家在對華出口高性能半導體芯片上多有限制。“世界正進入‘光制造時代’,高能激光技術也正在引領制造業革命。當前國際半導體技術發展的趨勢是要同時獲得高功率、高亮度、高效率、高可靠性。難點在提高多芯片的指向一致性、降低發散角、控制芯片內部應力、提高芯片偏振度及合束效率。”長光華芯公司負責人說。

      長光華芯團隊的創新,就在于在國際上首次使用自主創新的分布式載流子注入技術,解決了半導體激光器在高功率工作條件下的非線性效應問題,提升了輸出功率,達到了國際領先水平;在國際上首次利用單管芯片集成實現光纖輸出功率超過4000瓦半導體激光器,實現多達560個分離單管芯片的合束耦合進400微米光纖中。而這樣的成果,從芯片設計、外延生長、器件封裝、模塊、光纖耦合模塊及系統,全工藝流程都是自主研發,擁有完全自主知識產權。該團隊還先后承擔了國家863、973、04等國家重大專項。

      該團隊還將芯片技術運用在了切割與焊接上,其研發的半導體激光器切割機床獲得2015年中國激光行業技術創新獎,將半導體激光器切割技術做到了全國第一。“過去的氣體激光器焊接,體積要像一間房子那么大;運用我們的高功率半導體激光芯片做成的焊接器,大小就像一個小冰箱。并且,我們的點是平頂的、溫度是一致的,在焊接中具有無與倫比的優勢。”

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